* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Техническая спецификация
MDP11N60 N-Channel MOSFET 600V, 11AESD Control Selection Guide V1Высота:
16.51мм
Длина:
10.67мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
182 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
660 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
550 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
11 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
1.4В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220
Типичный заряд затвора при Vgs:
38.4 нКл при 10 В
Ширина:
4.83мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |