* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Техническая спецификация
MMIX1T600N04T2, TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET N-Channel 40V 600A SMPDESD Control Selection Guide V1Высота:
5.7мм
Длина:
25.25мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
24
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
830 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
3.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.3 МОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
600 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
GigaMOS, HiperFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SMPD
Типичный заряд затвора при Vgs:
590 нКл при 10 В
Ширина:
23.25мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |