* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Техническая спецификация
MMIX1F180N25T, GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET N-Channel 250V 132A SMPDESD Control Selection Guide V1Высота:
5.7мм
Длина:
25.25мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
24
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
570 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
250 В
Максимальное пороговое напряжение:
5В
Максимальное сопротивление стока источника:
13 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
132 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
1.3В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
GigaMOS, HiperFET
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SMPD
Типичный заряд затвора при Vgs:
364 нКл при 10 В
Ширина:
23.25мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |