* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel STripFET™ F6, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STH175N4F6-2AG, STH175N4F6-6AG N-channel 40 V 120 A STripFET Power MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
4.8мм
Длина:
10.4мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
40 В
Максимальное пороговое напряжение:
4.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
2.4 МОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
120 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
3В
Прямое напряжение диода:
1.3В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
STripFET F6
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
H2PAK
Типичный заряд затвора при Vgs:
130 нКл при 10 В
Ширина:
9.17мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |