N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STW56N60M2 N-channel 600 V 52 A MDmesh Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
350 Вт
Максимальное напряжение входа:
-25 В, +25 В
Максимальное напряжение стока источника:
650 В
Максимальное пороговое напряжение:
4В
Максимальное сопротивление стока источника:
55 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
52 A
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Типичный заряд затвора при Vgs:
91 нКл при 10 В