* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
DMG4511SK4, Complementary Pair Enhancement Mode MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
2.39мм
Длина:
6.7мм
Канал - тип:
N, P
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рассеиваемая мощность:
8.9 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
35 В
Максимальное пороговое напряжение:
3В
Максимальное сопротивление стока источника:
65 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
9.3 A, 9.6 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
18.7 нКл при 10 В, 19.2 нКл при 10 В
Ширина:
6.2мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |