* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
General Purpose PNP Transistors, Toshiba
Bipolar Transistors, Toshiba
Техническая спецификация
2SA1362, Silicon PNP TransistorESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
-5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
-15 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-15 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-800 mA
Минимальное усиление постоянного тока:
120
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2.9 x 1.5 x 1.1мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
SOT-346 (SC-59)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |