* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Infineon Dual-gate MOSFET Tetrode
Dual-gate Low noise Tetrode MOSFET RF transistors from Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Техническая спецификация
BF998, Silicon N-Channel MOSFET TetrodeESD Control Selection Guide V1Высота:
1.3мм
Длина:
2.9мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 мВт
Максимальное напряжение входа:
-2.5 В, -2 В
Максимальное напряжение стока источника:
12 В
Максимальное пороговое напряжение:
2.5В
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
30 мА
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.8В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-143
Типичный коэффициент усиления по мощности:
28 дБ
Ширина:
1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |