Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Infineon BFP720H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 25 mA, 13 V, 4-Pin SOT-343, Биполярный транзистор

8977282
Номер производителя: BFP720H6327XTSA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 15 шт)
45.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon

A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.

Bipolar Transistors, Infineon

Техническая спецификация
pdfBFP720, Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor
pdfESD Control Selection Guide V1