* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
Reduced Reverse Recovery Time, Reverse Recovery Charge, and Reverse Recovery Current
Low figure-of-merit (FOM)
Low input capacitance (Ciss)
Increased robustness due to low Reverse Recovery Charge
Ultra low gate charge (Qg)
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Техническая спецификация
SiHG33N60EF, EF Series Power MOSFET with Fast Body DiodeESD Control Selection Guide V1Высота:
20.82мм
Длина:
15.87мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
278 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
600 В
Максимальное сопротивление стока источника:
98 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
33 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
2В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
EF Серия
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247AC
Типичный заряд затвора при Vgs:
103 нКл при 10 В
Ширина:
5.31мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |