* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
STD4NK100Z, Automotive-grade N-Channel 1000V, 2.2A SuperMESH Power MOSFET Zener-protected in a DPAK PackageESD Control Selection Guide V1Высота:
2.4мм
Длина:
6.6мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
90 Вт
Максимальное напряжение входа:
-30 В, +30 В
Максимальное напряжение стока источника:
1000 В
Максимальное сопротивление стока источника:
6.8 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
2.2 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
1.6В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
MDmesh, SuperMESH
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DPAK (TO-252)
Типичный заряд затвора при Vgs:
18 нКл при 10 В
Ширина:
6.2мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |