* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Техническая спецификация
IPA105N15N3 G OptiMOS 3 Power-TransistorEfficient Semiconductor Solutions for Motor Control and DrivesESD Control Selection Guide V1Высота:
16.15мм
Длина:
10.65мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
40.5 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
150 В
Максимальное сопротивление стока источника:
11.1 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
37 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS 3
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-220 FP
Типичный заряд затвора при Vgs:
41 нКл при 10 В
Ширина:
4.85мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |