Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

N-Channel MOSFET, 180 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IPB010N06NATMA1, МОП-транзистор

9064353
Номер производителя: IPB010N06NATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
2265.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

OptiMOS™ 5 60V is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.

Summary of Features

  • Optimized for synchronous rectification

  • 40% lower R DS(on) than alternative devices

  • 40% improvement of FOM over similar devices

  • RoHS compliant - halogen free

  • MSL1 rated

  • Optimized for synchronous rectification

  • 100%avalanchetested

  • Superior thermal resistance

  • N-channel, normal level

  • Qualified according to JEDEC1) for target applications

  • Pb-free lead plating; RoHS compliant

  • Halogen-free according to IEC61249-2-21

Benefits

  • Highest system efficiency

  • Less paralleling required

  • Increased power density

  • System cost reduction

  • Very low voltage overshoot

Potential Applications

  • Synchronous rectification

  • Solar micro inverter

  • Isolated DC-DC converters

  • Motor control for 12-48V systems

  • Or-ing switches

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Техническая спецификация
pdfIPB010N06N OptiMOS 3 Power Transistor
pdfEfficient Semiconductor Solutions for Motor Control and Drives
pdfESD Control Selection Guide V1
Высота:
9.45мм
Длина:
10.31мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
300 Вт
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
60 В
Максимальное сопротивление стока источника:
1.5 МОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
180 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
4.2В
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
OptiMOS 5
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK-7
Типичный заряд затвора при Vgs:
208 нКл при 10 В
Ширина:
4.57мм
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию