* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel Silicon Carbide (SiC) MOSFET, STMicroelectronics
Silicon carbide (SiC) MOSFETs feature very low static drain-source on-resistance for the 1200V rating combined with excellent switching performance, translating into more efficient and compact systems.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Техническая спецификация
SCT30N120, Silicon Carbide Power MOSFET 45A, 1200V, 90mOhm N-Channel in HiP247ESD Control Selection Guide V1Высота:
20.15мм
Длина:
15.75мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 Вт
Максимальное напряжение входа:
-10 В, +25 В
Максимальное напряжение стока источника:
1200 В
Максимальное сопротивление стока источника:
100 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
45 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
3.5В
Рабочая температура - максимальная:
+200 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
HiP247
Типичный заряд затвора при Vgs:
105 нКл при 20 В
Ширина:
5.15мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |