* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
DN2625 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip DN2625 is a low threshold depletion-mode (normally-on) MOSFET transistor utilizing an advanced vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
Features
Low Gate Threshold Voltage
Designed to be Source-Driven
Low Switching Losses
Low Effective Output Capacitance
Designed for Inductive Loads
MOSFET Transistors, Microchip
Техническая спецификация
DN2625DK6-G DatasheetESD Control Selection Guide V1Высота:
0.85мм
Длина:
5.1мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальное напряжение входа:
-20 В, +20 В
Максимальное напряжение стока источника:
250 В
Максимальное сопротивление стока источника:
3.5 Ом
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
1.1 A
Материал транзистора:
Si
Прямое напряжение диода:
1.8В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Depletion
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
DFN
Типичный заряд затвора при Vgs:
7.04 нКл при 1.5 В
Ширина:
5.1мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |