* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
ESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
IXFP10N60P
Channel Type
Высота:
9.15mm
Длина:
10.66mm
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
200 W
Максимальное напряжение входа:
-30 V, +30 V
Максимальное напряжение стока источника:
600 V
Максимальное пороговое напряжение:
5.5V
Максимальное сопротивление стока источника:
740 mΩ
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
10 A
Материал транзистора:
Si
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Серия:
HiperFET, Polar
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-220
Типичный заряд затвора при Vgs:
32 nC @ 10 V
Ширина:
4.83mm
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |