* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Dual Matched Bipolar Transistors, ON Semiconductor
Pairs of NPN or PNP bipolar transistors in a single package matched for Base-Emitter voltage (VBE) and Current Gain (hFE).
Техническая спецификация
Dual PNP Bipolar Transistor DatasheetESD Control Selection Guide V1Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
2
Конфигурация транзистора:
Изолированный
Максимальная рабочая частота:
100 МГц
Максимальная рассеиваемая мощность:
380 мВт
Максимальное напряжение база-эмиттер:
-5 В
Максимальное напряжение коллектор-база:
-80 В
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
-65 В
Максимальный постоянный ток коллектора:
-100 мА
Минимальное усиление постоянного тока:
220
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
2.2 x 1.35 x 1мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип транзистора:
PNP
Тип упаковки:
SOT-363 (SC-88)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |