* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 30V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
DMN3065LW, N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorESD Control Selection Guide V1Высота:
1мм
Длина:
2.2мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
770 мВт
Максимальное напряжение входа:
-12 В, +12 В
Максимальное напряжение стока источника:
30 В
Максимальное пороговое напряжение:
1.5В
Максимальное сопротивление стока источника:
85 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
4 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.5В
Прямое напряжение диода:
1.2В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-323
Типичный заряд затвора при Vgs:
11.7 нКл при 10 В
Ширина:
1.35мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |