* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Техническая спецификация
DMT5015LFDF, 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Control Selection Guide V1Высота:
0.58мм
Длина:
2.05мм
Канал - тип:
N
Количество контактов:
6
Количество элементов на чип:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
1.97 Вт
Максимальное напряжение входа:
-16 В, +16 В
Максимальное напряжение стока источника:
50 В
Максимальное пороговое напряжение:
2В
Максимальное сопротивление стока источника:
23 мОм
Максимальный непрерывный потребляемый ток:
11.5 A
Материал транзистора:
Si
Минимальное пороговое напряжение:
0.5В
Прямое напряжение диода:
1В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Режим канала:
Enhancement
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
U-DFN2020
Типичный заряд затвора при Vgs:
14 нКл при 10 В
Ширина:
2.05мм
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |