* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Техническая спецификация
MII 200-12 A4, MID 200-12 A4, MDI 200-12 A4 IGBT Modules Data SheetESD Control Selection Guide V1Канал - тип:
N
Количество контактов:
7
Конфигурация:
Single
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
270 A
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Размеры:
110 x 62 x 30мм
Тип монтажа:
Крепление на панель
Тип упаковки:
Y3 DCB
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |