Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Fuji Electric 7MBR50VB-120-50 3 Phase Bridge IGBT Module, 50 A 1200 V, 24-Pin M712, Through Hole

1109135
Номер производителя: 7MBR50VB-120-50Производитель: Fuji Electric
Цена за шт.
19929.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

IGBT Modules 7-Pack, Fuji Electric

V-Series

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
24
Конфигурация:
3 фазный мост
Конфигурация транзистора:
3 фазный
Максимальная рассеиваемая мощность:
280 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
50 A
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Размеры:
122 x 62 x 17мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
M712
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию