* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Техническая спецификация
XPT Dual IGBT Module 650AESD Control Selection Guide V1Канал - тип:
N
Количество контактов:
11
Конфигурация:
Dual
Конфигурация транзистора:
Серия
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.1 кВт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±30В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
650 A
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Размеры:
152 x 62 x 17мм
Тип монтажа:
Крепление на печатной плате
Тип упаковки:
SimBus F
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |