* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Техническая спецификация
IXXK110N65B4H1, IXXX110N65B4H1, XPT 650V IGBTs GenX4 with Sonic DiodeESD Control Selection Guide V1Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество транзисторов:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
880 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
570 A
Переключение скоростей:
10 → 30кГц
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
20.3 x 5.3 x 26.6mm
Рейтинг энергии:
3мДж
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-264
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |