* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
IGBT Discretes, Toshiba
IGBT Discretes \u0026 Modules, Toshiba
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
ESD Control Selection Guide V1
Mfr Part No.:
GT50JR21
Maximum Continuous Collector Current
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
230 W
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
600 V
Максимальное напряжение эмиттера:
±25V
Переключение скоростей:
1MHz
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Размеры:
15.5 x 4.5 x 20mm
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-3P
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |