Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

ROHM RGT30NS65DGC9, P-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3+Tab-Pin I2PAK, Through Hole, Транзистор

1715593
Номер производителя: RGT30NS65DGC9Производитель: ROHM
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
861.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-current applications.

Low Collector - Emitter Saturation Voltage
Low Switching Loss
Short Circuit Withstand Time 5us
Built in Very Fast & Soft Recovery FRD (RFN - Series)
Pb - free Lead Plating

Техническая спецификация
pdfDatasheet
pdfDatasheet
Емкость затвора:
780пФ
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3+Tab
Количество транзисторов:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
133 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 В
Максимальное напряжение эмиттера:
30В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
30 A
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Размеры:
10.1 x 4.5 x 9мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-262
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию