* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°CPositive Temperature Co-efficient for Easy Parallel OperatingHigh Current CapabilityLow Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 AHigh Input ImpedanceFast SwitchingTighten Parameter DistributionApplicationsSolar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC
Datasheet FGH60T65SQD-F155
Mfr Part No.:
FGH60T65SQD-F155
Maximum Continuous Collector Current
Емкость затвора:
3813pF
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество транзисторов:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
333 W
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 V
Максимальное напряжение эмиттера:
±30V
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
15.87 x 4.82 x 20.82mm
Рейтинг энергии:
50mJ
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-247 G03
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |