* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on−state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and solar applications. Incorporated into the device is a soft and fast co−packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Extremely Efficient Trench with Field Stop Technology TJmax = 175°C Soft Fast Reverse Recovery Diode Optimized for High Speed Switching These are Pb−Free DevicesApplicationsSolar inverter UPS Welding
Datasheet FGH40T120SQDNL4
Mfr Part No.:
FGH40T120SQDNL4
Maximum Continuous Collector Current
Емкость затвора:
5000pF
Канал - тип:
P
Количество контактов:
4
Количество транзисторов:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
454 W
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 V
Максимальное напряжение эмиттера:
±30V
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Тип монтажа:
Through Hole
Тип упаковки:
TO-247
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |