* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Applications
Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC
DatasheetDatasheet FGH60T65SQD-F155Емкость затвора:
3813пФ
Канал - тип:
P
Количество контактов:
3
Количество транзисторов:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
333 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±30В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
60 A
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Рейтинг энергии:
50mJ
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247 G03
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |