Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Vishay SIA433EDJ-T1-GE3 IGBT, Транзистор

1807754
Номер производителя: SIA433EDJ-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 20 шт)
195.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount P-channel PowerPAK-SC70-6 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 20V and a maximum gate-source voltage of 12V. It has a drain-source resistance of 18mohms at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power dissipation of 19W and continuous drain current of 12A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 1.8V and 4.5V respectively. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Built-in ESD protection with zener diode
• Halogen free
• Lead (Pb) free component
• Low on-resistance
• New thermally enhanced PowerPAK SC-70 package
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• Small footprint area
• TrenchFET power MOSFET
• Typical ESD performance is 1800V

Applications

• Battery switches
• Charger switches
• Load switches
• Portable devices

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию