Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Vishay SIA456DJ-T1-GE3 IGBT, Транзистор

1807793
Номер производителя: SIA456DJ-T1-GE3Производитель: Vishay
Цена за шт. (норма упаковки 10 шт)
269.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Vishay SIA456DJ is a N-channel MOSFET having drain to source voltage(Vds) of 200V and gate to source voltage (VGS) 16V. It is having power PAK SC-70 package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 1.38ohms at 4.5VGS and 1.5ohms at 2.5VGS. Maximum drain current 2.6A.

Trench FET power MOSFET
Thermally enhanced Power PAK SC-70 package
Small footprint area

Техническая спецификация
pdfDatasheet
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию