* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. AFGB40T65SQDN offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.
VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 40 A
Low VF soft recovery co-packaged diode \t
For automotive
Low conduction loss
Low noise and conduction loss
Applications
Automotive On Board Charge
Automotive DC/DC converter for HEV
End Products
EV/PHEV
Datasheet AFGB40T65SQDNАвтомобильный стандарт:
AEC-Q101
Емкость затвора:
2495пФ
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество транзисторов:
1
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
238 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
80 A
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
10.67 x 9.65 x 4.58мм
Рейтинг энергии:
22.3mJ
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |