Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

onsemi NXH100B120H3Q0STGOS Dual IGBT Module 1200 V, 22-Pin Q0BOOST, Surface Mount

1958771
Номер производителя: NXH100B120H3Q0STGПроизводитель: onsemi
Цена за шт.
26773.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The NXH100B120H3Q0 is a power integrated module (PIM) containing a dual boost stage consisting of two 50A/1200V IGBTs, two 20A/1200V SiC diodes, and two 25A/1600V anti-parallel diodes for the IGBTs. Two additional 25A/1600V bypass rectifiers used for inrush current limit are included. An on-board thermistor is included.

IGBT Specifications: VCE(SAT) = 1.77 V, ESW = 2200 uJ
Fast IGBT with low VCE(SAT) for high efficiency
25 A / 1600 V Bypass and Anti−parallel Diodes
Low VF bypass diodes for excellent efficiency in bypass mode
SiC Rectifier Specification: VF = 1.44 V
SiC Diode for high speed switching
Solder pin and press-fit pin options available
Flexible mounting
Applications
MPPT Boost Stage
Battery Charger Boost Stage

Техническая спецификация
pdfDatasheet NXH100B120H3Q0STG
Канал - тип:
N
Количество контактов:
22
Конфигурация:
Dual
Конфигурация транзистора:
Dual
Максимальная рассеиваемая мощность:
186 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Размеры:
66.2 x 32.8 x 11.9мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
Q0BOOST
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию