Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

onsemi NXH50C120L2C2ESG 3 Phase IGBT Module, 35 A 650 V DIP26, Through Hole

2025683
Номер производителя: NXH50C120L2C2ESGПроизводитель: onsemi
Цена за шт.
31223.40 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The ON Semiconductor transfer molded power module with low thermal resistance substrate containing a converter-inverter-brake circuit consisting of six 50 Ampere and 1600 Volts rectifiers, six 50 Ampere and 1200 Volts IGBTs with inverse diodes, one 35 Ampere and 1200 Volts brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.

Low thermal resistance
6mm clearance distance between pin to heatsink
Solderable pins
Thermistor
Pb free
Halogen free
RoHS compliant

Техническая спецификация
pdfDatasheet - NXH50C120L2C2ESG
Канал - тип:
N
Количество транзисторов:
6
Конфигурация:
3 фазный
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20.0V
Максимальный непрерывный ток коллектора:
35 A
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
DIP26
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию