* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon IHW50N65R6 is the 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.
Frequency range 20-75 kHzLow EMIVery tight parameter distribution Maximum operating TJ of 175 °C
Mfr Part No.:
IHW50N65R6XKSA1
Maximum Continuous Collector Current
Количество контактов:
3
Максимальная рассеиваемая мощность:
251 W
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 V
Максимальное напряжение эмиттера:
±20V
Тип упаковки:
PG-TO247-3
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |