* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon IGB50N65S is 50 A IGBT with anti-parallel diode with no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.
Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C
Maximum junction temperature Tvj 175°C
four times nominal current
Datasheet - IGB50N65S5ATMA1Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Количество транзисторов:
1
Конфигурация:
Single
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
270 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 В
Максимальное напряжение эмиттера:
30В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
80 A
Тип упаковки:
PG-TO263
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |