* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The Infineon IGBT trasistor has a 650 V breakthrough voltage.The maximum junction temperature of transistor is 175°C.
Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies
Plug and play replacement of previous generation IGBTs
Applicable in Solar converters , Uninterruptible power supplies, Welding converters
Mid to high range switching frequency converters
Datasheet - IGP20N65H5XKSA1Количество транзисторов:
1
Конфигурация:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
125 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 В
Максимальное напряжение эмиттера:
20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
42 A
Тип упаковки:
TO-220-3
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |