Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Infineon FS150R12KT3BOSA1 IGBT Module, 200 A 1200 V

2445404
Номер производителя: FS150R12KT3BOSA1Производитель: Infineon
Цена за шт.
116138.10 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 300 A and collector-emitter saturation voltag 2.15 V, gate threshold voltage is 6.5 V.

Collector-emitter cut-off current 5.0 mA
Temperature under switching conditions 125° C
Gate-emitter leakage current 400 nA
Reverse transfer capacitance 0.40 nF

Техническая спецификация
pdfDatasheet - FS150R12KT3BOSA1
Количество транзисторов:
6
Максимальная рассеиваемая мощность:
700 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 В
Максимальное напряжение эмиттера:
+/-20V
Максимальный непрерывный ток коллектора:
200 A
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию