Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Infineon FS100R12KE3BOSA1 IGBT Module, 140 A 1200 V

2445861
Номер производителя: FS100R12KE3BOSA1Производитель: Infineon
Цена за шт.
86853.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 480 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Maximum collector-emitter saturation voltage 2.15 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

Техническая спецификация
pdfDatasheet - FS100R12KE3BOSA1
Количество транзисторов:
6
Максимальная рассеиваемая мощность:
480 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
140 A
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию