* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC Diode Nickel Plated DBC
The ON Semiconductor 3 Channel Boost Q1 Power Module is a power module containing a dual boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.
1200 V 40 m SiC MOSFETs
Low Reverse Recovery and Fast Switching SiC Diodes
1200 V Bypass and Anti parallel Diodes
Low Inductive Layout Solderable Pins Thermistor
This Device is Pb Free, Halogen Free/BFR Free and is RoHS Compliant
Datasheet - NXH40B120MNQ0SNGКоличество транзисторов:
2
Максимальная рассеиваемая мощность:
118 Вт
Тип упаковки:
Q0PACK - Case 180AJ (Pb-Free and Halide-Free Solder Pins)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |