* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
Full SiC MOSFET Module | EliteSiC Three Channel Full SiC Boost, 1200 V, 40 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 40 A SiC Diode Nickel-plated DBC
The ON Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG is a power module containing a three channel boost stage. The integrated SiC MOSFETs and SiC Diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.
40 m/1200 V SiC MOSFET Half−Bridge
Thermistor
Options with Pre Applied Thermal Interface Material and without Pre Applied TIM
Press Fit Pins
These Devices are Pb Free, Halide Free and are RoHS Compliant
Datasheet - NXH40B120MNQ1SNGКоличество транзисторов:
3
Максимальная рассеиваемая мощность:
156 Вт
Тип упаковки:
Q1 3-Channel BOOST - Case 180BQ Solder Pins (Pb Free)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |