Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Infineon FF50R12RT4HOSA1 Dual IGBT, 50 A 1200 V AG-34MM, Chassis Mount

2608888
Номер производителя: FF50R12RT4HOSA1Производитель: Infineon
Цена за шт.
29519.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The infineon dual IGBT module is 34 mm 1200 V, 50 A fast TRENCHSTOP IGBT4 and emitter controlled 4 diode. VCEsat with positive temperature coefficient, it is flexibility, optimal electrical performance and highest reliability.

Extended operation temperature
Low switching losses
Low VCEsat
Isolated base plate
Standard housing

Техническая спецификация
pdfDatasheet - FF50R12RT4HOSA1
Количество транзисторов:
2
Конфигурация:
Dual
Максимальная рассеиваемая мощность:
285 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
50 A
Тип монтажа:
Монтаж на шасси
Тип упаковки:
AG-34MM
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию