Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

STMicroelectronics STGWA80H65DFBAG IGBT, 80 A 1.65 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

2615072
Номер производителя: STGWA80H65DFBAGПроизводитель: STMicroelectronics
Цена за шт.
2164.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+ −

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The STMicroelectronics IGBT is developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

AEC-Q101 qualified
High-speed switching series
Maximum junction temperature TJ is 175 degree C
Minimized tail current
Tight parameter distribution
Positive temperature VCE(sat) coefficient
Soft and very fast recovery antiparallel diode

Техническая спецификация
pdfDatasheet - STGWA80H65DFBAG
Количество контактов:
3
Максимальная рассеиваемая мощность:
535 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1.65 В
Максимальное напряжение эмиттера:
20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
80 A
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-247
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию