* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
The STMicroelectronics automotive-grade trench gate field-stop low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package. This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential.
Tight parameter distribution
Low thermal resistance
Dice on direct bond copper (DBC) substrate
Datasheet - STGSB200M65DF2AGКанал - тип:
NPN
Количество контактов:
9
Количество транзисторов:
2
Конфигурация:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
714 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
650 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
200 A
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
ECOPACK
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |