Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

Infineon BSC018NE2LSATMA1 IGBT, 153 A 25 V, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

2735234
Номер производителя: BSC018NE2LSATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
252.00 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon MOSFET is a 25 V N channel MOSFET. It is optimized for high performance buck converter. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant
Pb free lead plating
Very low on resistance
Superior thermal resistance
100 percent avalanche tested

Техническая спецификация
pdfDatasheet - BSC018NE2LSATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Максимальная рассеиваемая мощность:
2.5 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
25 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
153 A
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
PG-TDSON-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию