Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

2735240
Номер производителя: BSC16DN25NS3GATMA1Производитель: Infineon
Цена за шт. (норма упаковки 5 шт)
395.50 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

The Infineon MOSFET is a N channel MOSFET with 150 degree Celsius operating temperature. It is an optimized for dc to dc conversion. This MOSFET is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is halogen free according to IEC61249 2 21 standard.

RoHS compliant
Pb free lead plating
Low on resistance
Excellent gate charge

Техническая спецификация
pdfDatasheet - BSC16DN25NS3GATMA1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
8
Максимальная рассеиваемая мощность:
62.5 Вт
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
PG-TDSON-8
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию