* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Техническая спецификация
IXDN 55N120 D1, High Voltage IGBT with optional DiodeESD Control Selection Guide V1Канал - тип:
N
Количество контактов:
4
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
450 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
100 A
Переключение скоростей:
1МГц
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-40 °C
Размеры:
38.2 x 25.07 x 9.6мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
SOT-227B
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |