* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Техническая спецификация
NGB8207AN, NGB8207ABN, Ignition IGBT, 20A, 365V, N-Channel D2PAKPCN - Littelfuse Acquisition of ON Semiconductor TVS Diode, Thyristor and Ignition IGBT PortfolioESD Control Selection Guide V1Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
165 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
365 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±15В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
50 A
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
10.29 x 9.65 x 4.83мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |