Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 357-93-03
Email: incoll@rs-catalog.ru

ON Semiconductor FGAF40N60SMD IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole, Транзистор

8070763
Номер производителя: FGAF40N60SMDПроизводитель: ON Semiconductor
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1521.00 руб. (С НДС) *
Количество 2+ 10+
Цена 1521.00 руб. 1263.00 руб.

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Техническая спецификация
pdfFGAF40N60SMD, 600V 40A Field Stop IGBT Data Sheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
115 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
600 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
80 A
Переключение скоростей:
1МГц
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
15.7 x 3.2 x 26.7мм
Тип монтажа:
Сквозное отверстие
Тип упаковки:
TO-3PF
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию