Москва - (495) 204-28-08
Санкт-Петербург - (812) 424-56-18
Екатеринбург - (343) 216-9-777
Email: incoll@rs-catalog.ru

onsemi HGT1S10N120BNST IGBT, 80 A 1200 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount, Транзистор

8076660
Номер производителя: HGT1S10N120BNSTПроизводитель: onsemi
Цена за шт. (норма упаковки 2 шт)
1290.90 руб. (С НДС) *

Срок поставки: 4-6 недель

+

* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Техническая спецификация
pdfHGT1S10N120BNS, HGTP10N120BN, HGT1S10N120BNS, 1200V, NPT IGBT Data Sheet
pdfESD Control Selection Guide V1
Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
298 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
1200 В
Максимальное напряжение эмиттера:
±20В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
80 A
Переключение скоростей:
1МГц
Рабочая температура - максимальная:
+150 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
10.67 x 11.33 x 4.83мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге Забираете сами или вызываете курьера
ТК Деловые Линии от 500 руб
Курьером EMS Почта России от 500 руб
Другой транспортной компанией По согласованию