* УТОЧНЯЙТЕ ВОЗМОЖНОСТЬ, ЦЕНУ И СРОК ПОСТАВКИ, В СВЯЗИ С ОГРАНИЧЕНИЕМ ЭКСПОРТА ТОВАРОВ ИЗ СТРАН ЕС И ВЕЛИКОБРИТАНИИ
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Техническая спецификация
STGB18N40LZ STGD18N40LZ, STGP18N40LZESD Control Selection Guide V1Канал - тип:
N
Количество контактов:
3
Конфигурация транзистора:
Single
Максимальная рассеиваемая мощность:
150 Вт
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер:
420 В
Максимальное напряжение эмиттера:
16В
Максимальный непрерывный ток коллектора:
30 A
Переключение скоростей:
1МГц
Рабочая температура - максимальная:
+175 °C
Рабочая температура - минимальная:
-55 °C
Размеры:
10.4 x 9.35 x 4.6мм
Тип монтажа:
Поверхностное крепление
Тип упаковки:
D2PAK (TO-263)
| Самовывоз со склада поставщика в Екатеринбурге | Забираете сами или вызываете курьера |
| ТК Деловые Линии | от 500 руб |
| Курьером EMS Почта России | от 500 руб |
| Другой транспортной компанией | По согласованию |